AI-новости31 августа 2026 г., 18:19 МСК🤖 Auto

SK hynix доверит Intel Foundry производство базовых кристаллов HBM4E

Южнокорейский гигант рассматривает Intel Foundry в качестве второго поставщика для производства базовых кристаллов памяти HBM4E, что может стать прорывом для аутсорсинга Intel.

Баннер новости 6432

Компания SK hynix, ведущий производитель памяти для ИИ-ускорителей, рассматривает возможность диверсификации цепочки поставок для нового стандарта HBM4E. Согласно сообщению South Korean Herald, SK hynix планирует перейти от эксклюзивного сотрудничества с TSMC к стратегии двойного источника (dual sourcing), включив в нее Intel Foundry. Это означает, что Intel может получить значительную долю контракта на производство базовых кристаллов (base dies) для передовой памяти.

Технологический сдвиг: от DRAM к кастомной логике

Архитектура HBM4E принципиально отличается от предыдущих поколений (HBM3, HBM3E). Базовый кристалл теперь может содержать не только интерфейсы, но и кастомную логику, такую как контроллеры памяти и PHY-интерфейсы. Это позволяет перенести эти компоненты с основного вычислительного чиплета (compute tile) на сам модуль памяти. Результат — освобождение площади на процессоре для дополнительных вычислительных ядер, снижение задержек и рост общей производительности ИИ-ускорителей.

До сих пор SK hynix производила базовые кристаллы для HBM3E на собственных узлах 10 нм. Однако для HBM4E требования к плотности и производительности растут, и клиенты требуют более совершенных техпроцессов. Именно здесь на сцену выходит Intel Foundry.

Выбор техпроцесса: Intel 3, 4 или 18A?

Для текущего стандарта HBM4 SK hynix использует 12-нм узел TSMC. Для HBM4E потребуется еще более продвинутый процесс. В качестве кандидатов рассматриваются узлы Intel 10, Intel 4/3, а также перспективный Intel 18A. Аналитики склоняются к тому, что финансово более обоснованным выбором станут более зрелые узлы, такие как Intel 3 или Intel 4, учитывая и без того высокую стоимость HBM и сложность масштабирования Intel 18A для массового производства памяти.

ПараметрHBM3E (Текущий)HBM4 (Настоящее)HBM4E (Перспектива)
Производитель базового кристаллаSK hynix (собственный)TSMCTSMC + Intel Foundry (план)
Техпроцесс~10 нм (собственный)12 нм (TSMC)Intel 3/4/10/18A (вероятно)
Ключевая функцияИнтерфейсИнтерфейс + базовая логикаКастомная логика (PHY, контроллеры)
Технология упаковкиTSVTSVEMIB-T (вертикальная доставка питания)

Валидация EMIB-T и стратегическое значение

Важным сигналом готовности Intel Foundry стало то, что SK hynix уже валидировала свои дизайны для работы с технологией упаковки EMIB-T. Эта технология, представленная на конференции Hot Chips 2026, поддерживает вертикальную доставку питания через TSV (Through-Silicon Vias) на уровне пакета, что критически важно для 3D-модулей памяти нового поколения.

Если контракт будет подписан, это станет крупнейшим успехом Intel Foundry в сегменте высокопроизводительной памяти, доказавшим способность компании конкурировать с TSMC в производстве сложных логических элементов для ИИ-инфраструктуры.

Источник: TechPowerUp ↗