Масштабное расширение мощностей
Южнокорейский технологический гигант Samsung активно наращивает объемы производства высокоскоростной памяти HBM. Согласно данным издания SE Daily, компания увеличила заказы на материалы для производства, что свидетельствует о планах по удвоению мощности выпуска HBM4 и HBM4E к 2027 году. Ключевым индикатором объема производства служат стеклянные подложки (glass carriers), используемые для стабилизации тонких DRAM-пластин во время сборки. В 2026 году Samsung планирует обрабатывать около 20 000 таких пластин в месяц, а к 2027 году этот показатель вырастет до 50 000.
Динамика рынка и доля Samsung
Рост мощностей Samsung совпадает с резким увеличением его доли на рынке HBM. Если во втором квартале 2025 года доля компании составляла около 15%, то к второму кварталу 2026 года она выросла до 33%. Это означает, что Samsung удвоил свою рыночную долю всего за год. Общий объем производства HBM всех поколений (включая HBM3 и HBM3E) в текущем году составляет около 180 000 пластин, а к следующему году ожидается рост до 250 000 пластин, из которых 80% будут приходиться на новые стандарты HBM4 и HBM4E.
Технологические детали и таймлайн
Массовое производство HBM4 на шестом поколении технологического процесса 10 нм (1c node) началось в феврале 2026 года. Образцы HBM4E для клиентов ожидаются к середине 2026 года. Для обеспечения высокой плотности и пропускной способности, необходимых современным ИИ-ускорителям, Samsung также выделил половину производственных мощностей своего 4 нм узла SF4 для изготовления базовых кристаллов HBM4.
Сравнение показателей производства
Ниже приведена сводная таблица ключевых метрик производства памяти Samsung в период 2026–2027 годов:
| Показатель | 2026 год | 2027 год (прогноз) |
|---|---|---|
| Мощность HBM4/HBM4E (пластин/мес) | ~20 000 | ~50 000 |
| Общая мощность HBM (пластин/мес) | ~180 000 | ~250 000 |
| Доля рынка HBM (Q2) | 33% (Q2 2026) | Рост ожидается |
| Доля HBM4/HBM4E в общем объеме | — | 80% |
Значение для индустрии
Решение Samsung о расширении мощностей продиктовано жестким спросом со стороны клиентов, разрабатывающих ИИ-ускорители. Увеличение плотности и пропускной способности памяти критически важно для эффективности современных нейросетей. Конкуренция на рынке HBM обостряется, и Samsung, используя свои технологические преимущества (включая 4 нм процесс SF4), стремится занять еще большую долю рынка, которую ранее доминировали другие игроки.
Источник: TechPowerUp ↗