Китайский гигант CXMT официально начал риск-производство (risk production) памяти HBM3E. Согласно сообщению издания The Information, это знаковое событие для китайской полупроводниковой отрасли, хотя и подчеркивает существующий технологический разрыв: пока CXMT осваивает HBM3E, южнокорейские конкуренты уже постепенно переходят к производству HBM4E.
Технические характеристики и спецификации
Хотя точные параметры чипов CXMT пока не раскрыты, они должны соответствовать стандарту JEDEC. Это означает ширину шины 1024 бита и скорости передачи данных от 9.2 до 12.4 Гбит/с на пин, с целевым значением 9.6 Гбит/с. Общая пропускная способность составляет около 1.2 ТБ/с. Емкость стеков варьируется от 24 ГБ (8-слойные стеки) до 36 ГБ (12-слойные стеки).
| Параметр | Значение / Стандарт JEDEC |
|---|---|
| Тип памяти | HBM3E |
| Ширина шины | 1,024 бит |
| Скорость (пик) | до 12.4 Гбит/с (целевая 9.6 Гбит/с) |
| Пропускная способность | ~1.2 ТБ/с |
| Емкость (8-hi) | 24 ГБ |
| Емкость (12-hi) | 36 ГБ |
Мощности и темпы роста
Несмотря на начало производства в очень малых объемах, CXMT демонстрирует рекордные темпы перехода от риск-продакшна к массовому выпуску. Ожидается, что массовое производство начнется всего через несколько недель. К концу года компания планирует достичь мощности около 350,000 DRAM-пластин в месяц. Текущая производственная база включает два 12-дюймовых завода в Хэфэе и Пекине, каждый мощностью ~100,000 пластин в месяц, что дает суммарные 200,000 пластин. В будущем, после запуска заводов в Шанхае и Хэфэе, мощность вырастет до 600,000 пластин в месяц.
Строительство и эффективность
Одним из ключевых преимуществ CXMT является скорость строительства. Компания возводит чистые помещения за 12 месяцев, тогда как отраслевой стандарт составляет два года. Это позволяет быстрее масштабировать производство под новые продукты, такие как HBM, которые требуют множества DRAM-чипов для формирования одного стека, что может ограничить доступность обычной DRAM при росте спроса на HBM.
Источник: TechPowerUp ↗