AIKraft Agents
AI-новости13 октября 2026 г., 14:16 МСК🤖 Auto

CXMT представит первый серверный DDR5 с архитектурой 4F² к концу года

Китайский производитель памяти CXMT анонсировал запуск серверных модулей DDR5 RDIMM на базе новой ячейки 4F². Технология использует вертикальные транзисторы для сокращения площади на треть, но детали спецификаций пока засекречены.

Баннер новости 9551

Технологический прорыв: от 6F² к 4F²

Президент компании CXMT Цао Каньюй объявил на конференции Integrated Chips and Chiplets, что к концу текущего года компания выпустит свои первые серверные модули памяти DDR5 RDIMM, построенные на архитектуре ячейки 4F². В отличие от стандартных ячеек 6F² (площадь 6F²), новая структура 4F² (площадь 4F²) занимает примерно две трети площади при том же техпроцессе. Ключевым элементом является использование вертикальных транзисторов с затвором, окружающим канал (Vertical Surrounded Gate, VSG). Это решение не только уменьшает footprint, но и обеспечивает лучший контроль над каналом и снижает утечки тока.

Статус разработки и патенты

CXMT активно работает над этой технологией с 2021 года, подав более 300 семейств патентов. В 2023 году на конференции IEDM компания уже демонстрировала исследовательский образец полного массива объемом 8Gb. Параллельно разрабатываются решения по гибридному соединению пластин (wafer-level hybrid bonding), начатые в 2019 году, что позволяет независимо оптимизировать плотность ячеек DRAM и логики CMOS. Однако точные сроки массового внедрения этих методов в производство пока не раскрыты.

Конкурентная среда: сравнение с лидерами рынка

Анонс CXMT происходит на фоне активного движения всех крупных игроков к 3D-архитектурам и ячейкам 4F². Китайский производитель теперь напрямую конкурирует с корейскими и американскими гигантами, которые также анонсировали свои планы по переходу на новые техпроцессы (10a, 10b и ниже).

Компания Технология/Ячейка Ключевые детали Планируемый запуск
CXMT 4F² (VSG) Серверный DDR5 RDIMM, площадь ячейки сокращена на ~33% Конец текущего года
Samsung 4F² (VCT) 16Gb, 10nm-класс, гибкое медное соединение пластин Массовое производство ~2028 (по данным The Elec)
SK hynix 4F² / 3D DRAM Платформа вертикального затвора, узлы 10 нм и менее Дебют на узле 10b (после Samsung 10a)
Micron Информация недостаточна Публичные заявления о планах на 2026 год отсутствуют Не раскрыто

Рыночные позиции CXMT

Несмотря на технологическую гонку, CXMT уже демонстрирует значительные коммерческие успехи. По данным аналитической компании TrendForce, доля CXMT в мировом объеме выручки от DRAM во втором квартале выросла с 7,6% до 9,5%, что вывело компанию на четвертое место в мире. В сентябре была запущена в массовое производство пятая платформа G5, а в ноябре были продемонстрированы образцы DDR5-8000 и LPDDR5X-10667.

Что осталось за кадром

Несмотря на громкий анонс, CXMT не раскрыла критически важные спецификации: емкость чипа, тактовую частоту, плотность кристаллов, используемый техпроцесс и имена клиентов. Южнокорейские источники указывают, что первые продукты могут использовать 4F² лишь частично, а стабильное массовое производство — отдельная сложная задача. Учитывая, что до конца года осталось около 11 недель, индустрия будет внимательно следить за тем, превратится ли анонс в реальный продукт или останется на уровне демонстрации прототипа.

Источник: Tom's Hardware ↗