Суть достижения: DUV вместо EUV
Институт микробиологии Китайской академии наук (IMECAS) завершил раннюю интеграцию процессов для создания транзисторов с затвором со всех сторон (GAA) на основе стэкированных наноленточных каналов. Ключевая особенность: вся технология реализована с использованием иммерсионной DUV-литографии, без применения дорогостоящих и недоступных Китаю EUV-сканеров. Это открывает путь к разработке собственных технологических узлов класса 3 нм и ниже, минуя западные ограничения.
Технические метрики и сравнение
Исследователи получили функциональные устройства, способные четко различать проводящее и непроводящее состояния. Отношение тока открытого состояния к току закрытого состояния (Ion/Ioff) превысило пороговое значение в 5×10⁵, что подтверждает работоспособность управления затвором.
| Параметр | Результат IMECAS | Значимость |
|---|---|---|
| Ion/Ioff (набор 1) | 9.7×10⁵ | Превышает порог 5×10⁵, подтверждая контроль затвора |
| Ion/Ioff (набор 2) | 7.6×10⁵ | Стабильная работа переключения состояний |
| Технологический узел | Экспериментальный (цель — 3 нм) | Не является готовым производственным процессом |
| Литография | Immersive DUV | Обход санкций на EUV-оборудование |
Чего не хватает для «полноценного 3 нм»?
Несмотря на успех, IMECAS не раскрыл критические геометрические параметры. Отсутствуют данные о шаге затвора (gate pitch), шаге металла, размерах наноленточек, плотности транзисторов и плотности SRAM-ячеек. Без этих метрик невозможно сравнить разработку с коммерческими процессами TSMC, Samsung или Intel. На данный момент это валидация процессного потока, а не готовый продукт для массового производства.
Стратегическое значение
Работа IMECAS демонстрирует, что Китай способен развивать собственную ветвь эволюции полупроводников, снижая зависимость от западного ПО, оборудования и технологий. Инженеры делают ставку на архитектурные инновации, совместную оптимизацию дизайна и технологий (DTCO) и системную оптимизацию (STCO). Однако путь от лабораторного образца до заводской линии, требующей интеграции осаждения, травления, метрологии и контроля, остается долгим и сложным.
Источник: Tom's Hardware ↗