Официальный отказ от стратегии
Компания TSMC дала четкий ответ на недавние сообщения The Information о том, что тайваньский гигант рассматривает возможность производства 3D DRAM по запросу Nvidia. Представитель TSMC заявил Tom's Hardware: «Пожалуйста, обратите внимание, что TSMC всегда сосредоточена на своем основном бизнесе — производстве специализированных интегральных схем (dedicated IC foundry)». Компания подтвердила свою миссию как надежного поставщика технологий и мощностей для индустрии логических ИС, что является прямым опровержением слухов о переходе в сегмент памяти.
Реальность технологии: 3D DRAM — это не завтра
Даже если бы TSMC начала разработку, решение проблемы нехватки памяти наступило бы нескоро. 3D DRAM предполагает вертикальное расположение ячеек памяти для увеличения плотности, но эта технология находится на ранних стадиях. Все три ведущих производителя — Micron, Samsung и SK Hynix — работают над своими проектами, но Micron планирует выпустить как минимум четыре поколения планарной DRAM до появления 3D-версии. Эксперты оценивают, что 3D DRAM станет коммерчески жизнеспособной не ранее чем через 5 лет.
Технологические барьеры для TSMC
Производство DRAM требует совершенно иных процессов, чем логические чипы. TSMC обладает лучшими в отрасли логическими техпроцессами, но у нее нет экспертизы и производственных мощностей для создания DRAM, особенно 3D-структур. Ключевая проблема — контроль дефектов и выход годных изделий при создании многоуровневых структур. Без конкурентоспособной планарной DRAM-технологии разработать 3D-процесс практически невозможно. Инициатива, согласно источникам, курируется вице-президентом по передовым упаковкам Хсу Гоцзином, бывшим руководителем тайваньского подразделения Micron.
Альтернативный путь: HBM и SoIC
Вместо прямого входа в производство памяти, TSMC может усилить свои позиции в цепочке поставок AI-чипов другими способами. Компания уже сотрудничает с SK Hynix (с 2024 года) для производства логических базовых кристаллов для HBM. Также TSMC развивает технологию гибрид-бондинга SoIC для интеграции памяти с процессорами. Этот подход позволяет захватить большую часть добавленной стоимости без миллиардных инвестиций в строительство новых фабрик и разработку IP-ядер для DRAM с нуля.
Риски и антимонопольные вопросы
Вход TSMC в производство DRAM сопряжен с серьезными рисками. Рынок памяти цикличен: дефицит приводит к перепроизводству и падению цен. Кроме того, вертикальная интеграция (логика + упаковка + память) может вызвать вопросы антимонопольных регуляторов. TSMC может оказаться в невыгодном положении по отношению к конкурентам, у которых нет такой интеграции, или, наоборот, столкнуться с обвинениями в злоупотреблении доминирующим положением.
| Аспект | Логические чипы (Logic) | Память DRAM (включая 3D) |
|---|---|---|
| Технологический процесс | Высокоточная литография, транзисторы | Вертикальное структурирование, конденсаторы |
| Статус TSMC | Лидер рынка, ведущие техпроцессы | Отсутствует экспертиза и мощности |
| Срок выхода 3D DRAM | Применимо к логике | Коммерческая жизнеспособность через ~5 лет |
| Стратегия TSMC | Фокус на dedicated IC foundry | Партнерство (HBM, SoIC), а не производство |
Источник: Tom's Hardware ↗