Рекордные цифры и суровый прогноз
В третьем квартале 2026 года SK hynix зафиксировала исторический максимум выручки — $78,129 млрд. Однако на фоне этих цифр компания дала пессимистичный прогноз для рынка: дефицит памяти сохранится как минимум до 2030 года. Главная причина — сложность производства передовых техпроцессов и длительные сроки строительства новых фабрик, которые не могут быстро масштабировать массовое производство.
Удар по кошельку потребителей
Спрос превышает предложение, что уже привело к росту цен. Средняя цена продажи (ASP) модулей памяти в Q3 2026 выросла более чем на 20% по сравнению со вторым кварталом. Это означает, что после исчерпания текущих запасов стоимость потребительской электроники (ПК, смартфонов, консолей) может резко вырасти. Несмотря на ожидаемое снижение поставок обычных ПК и смартфонов, этот спад компенсируется бумом в сегменте AI-датацентров.
Переход на техпроцесс 1c nm и HBM4E
SK hynix активно внедряет новый узел DRAM 1c nm, который физически соответствует 11–12 нм и использует 5–6 слоев EUV-литографии. Этот процессор будет использоваться для выпуска HBM4E, LPDDR6 и DDR5. Для сравнения, текущий доминирующий узел 1b (12–13 нм, 4 слоя EUV) остается в производстве для DDR5, LPDDR5X, HBM3E и HBM4.
| Техпроцесс | Физический размер | Слои EUV | Продукция |
|---|---|---|---|
| 1c nm (новый) | 11–12 нм | 5–6 слоев | HBM4E, LPDDR6, DDR5 |
| 1b nm (текущий) | 12–13 нм | 4 слоя | DDR5, LPDDR5X, HBM3E, HBM4 |
Долгосрочные контракты с гигантами
Около 14 крупных клиентов, включая большинство гиперскейлеров, подписали 5-летние соглашения. Эти контракты покроют более 50% общего объема продаж SK hynix в 2027 и 2028 годах. В сегменте HBM4 ожидается, что к четвертому кварталу 2026 года объем поставок и доля выручки HBM4 превысят показатели HBM3E, а переговоры по продуктам 2027 года уже завершены. В области NAND основным продуктом остается 321-слойная флеш-память.
Источник: TechPowerUp ↗