Южнокорейский гигант SK hynix совершает стратегический сдвиг в производстве полупроводников, переводя основные мощности на шестое поколение узла 10-нм класса — 1c. Согласно отчетам, опубликованным TechPowerUp, компания демонстрирует агрессивную динамику внедрения новой технологии, что позволяет ей укреплять доминирующие позиции на рынке DRAM, особенно в сегменте высокопроизводительной памяти для ИИ.
Динамика перехода на узел 1c
Переход от предыдущего узла 1b к 1c происходит быстрее, чем ожидалось аналитики. Если в первом квартале 2026 года на новый узел приходилось лишь 10% производства, то к третьему кварталу этот показатель вырастет до 24%. Кульминация перехода запланирована на четвертый квартал 2026 года, когда доля узла 1c достигнет 34%. К первому кварталу 2027 года SK hynix планирует стабилизировать соотношение: 35% на узле 1c и 33% на узле 1b, сделав последний вторым по значимости.
| Показатель | Q1 2026 | Q2 2026 | Q3 2026 (прогноз) | Q4 2026 (прогноз) |
|---|---|---|---|---|
| Доля узла 1c | 10% | ~13% | 24% | 34% |
| Доля узла 1b | ~90% | ~87% | ~76% | ~66% |
Технические характеристики и продукты
Важно понимать, что DRAM-узлы не эквивалентны логическим узлам в процессорах. Узел 1c SK hynix соответствует физическим размерам 11–12 нм и использует 5–6 слоев EUV-литографии, тогда как предшествующий узел 1b (12–13 нм) ограничивается 4 слоями. Это технологическое преимущество позволяет SK hynix выпускать самые современные стандарты памяти:
- На узле 1c: HBM4E, LPDDR6, DDR5.
- На узле 1b: DDR5, LPDDR5X, HBM3E, HBM4.
Конкурентная борьба с Samsung и Micron
На данный момент SK hynix уже лидирует по внедрению узла 1c среди трех крупнейших производителей. Для сравнения, Samsung использует этот узел только в 16% своего производства, а Micron — в 19%. Однако SK hynix не собирается останавливаться: к концу 2026 года компания планирует увеличить отрыв, став безоговорочным лидером в производстве передовой DRAM.
Взгляд в будущее: 3D-структуры
Несмотря на успех узла 1c, индустрия сталкивается с физическими пределами масштабирования стандартной планарной структуры 6F². В долгосрочной перспективе SK hynix и другие игроки转向ятся к 3D-стекингу DRAM и вертикальным затворным транзисторам (4F²), чтобы продолжить рост плотности памяти. Однако узел 1c останется ключевой платформой для SK hynix на ближайшие годы, обеспечивая спрос со стороны ИИ-сектора и потребительского рынка.
Источник: TechPowerUp ↗