Полная загрузка мощностей Taylor Fab 2
Согласно данным корейской Maeil Business Newspaper, Samsung полностью забронировала производственные мощности своего второго завода (Taylor Fab 2) в Техасе. Ключевым заказчиком выступает компания AMD, чьи объемы заказов фактически исчерпывают доступную емкость фабрики. Samsung отказалась от комментариев, сославшись на политику конфиденциальности в отношении клиентов, однако отраслевые источники подтверждают, что большая часть производства пойдет на нужды AMD.
Технологический сдвиг: от 4 нм к 2 нм
Важно отметить, что речь идет не о производстве CPU или GPU, а о базовых кристаллах (base dies) для стеков памяти HBM. Эти логические чипы размещаются в основании стопки HBM. В то время как текущие решения HBM4 и HBM4E используют 4-нанометровые базовые кристаллы, переход на 2-нанометровый процесс (технология Taylor) ориентирован на будущие поколения памяти. Samsung планирует комбинировать эти техасские чипы с DRAM, произведенной в Южной Корее, для поставки готовых модулей HBM.
Геополитика поставок: AMD против NVIDIA
Ситуация с NVIDIA менее однозначна. Несмотря на упоминание NVIDIA в контексте заказов, компания ранее запросила у всех трех крупных производителей памяти (Samsung, SK Hynix, Micron) изготовление базовых кристаллов для своей памяти NVHBM исключительно на фабриках TSMC. Это может ограничить долю NVIDIA в заказах Samsung, оставив основную часть мощностей за AMD.
Стратегический обмен и сроки запуска
Сделка стала результатом переговоров, усиленных визитом генерального директора AMD Лизы Су в Samsung в октябре 2026 года. Источники указывают, что Samsung предлагала заказы на производство чипов в обмен на приоритетные поставки HBM, которые AMD остро нуждается для своих AI-ускорителей. Еще в марте 2026 года Samsung была назначена основным поставщиком HBM4 для ускорителя Instinct MI455X.
Хронология строительства
Несмотря на текущие бронирования, физический запуск производства отложен. Строительство Taylor Fab 2, площадь которого в 1,5 раза превышает площадь первого завода, начнется в ноябре 2026 года. Ожидается, что оборудование начнет поступать на площадку в феврале 2029 года, а массовое производство стартует в 2030 году.
| Параметр | Значение / Детали |
|---|---|
| Локация | Taylor, Texas (Fab 2) |
| Техпроцесс | 2 нм (для базовых кристаллов HBM) |
| Ключевой заказчик | AMD (основной объем) |
| Продукция | Base dies для HBM (HBM4/HBM4E и новее) |
| Старт строительства | Ноябрь 2026 |
| Массовое производство | 2030 год |
Источник: TechPowerUp ↗