Общий принцип: Wafer Bonding
На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 компания Samsung представила три архитектуры памяти, объединенные общей технологией — advanced wafer bonding (сращивание пластин). Это позволяет размещать чипы памяти непосредственно над логическими кристаллами, сокращая путь данных и повышая эффективность. Технологии адресуют разные сегменты: от высокопроизводительных ИИ-ускорителей до edge-устройств и массовых SSD.
zHBM: Память прямо над процессором
Концепция zHBM (custom HBM) предполагает установку стека HBM непосредственно на поверхность AI-ускорителя, а не на периферию через интерпозер. Это решает проблемы задержек и энергопотребления при использовании интерфейса HBM4 (2048-бит).
Samsung заявляет о впечатляющих характеристиках по сравнению с HBM5 (которая еще не стандартизирована):
- Производительность: до 8x выше, чем у HBM5 (термин «производительность» не уточнен, вероятно, речь о пропускной способности).
- Плотность: более чем в 10 раз выше за счет продвинутого сращивания.
- Энергоэффективность: улучшение на 3x.
- Тепловое сопротивление: снижение более чем на 50%.
Важная особенность: zHBM поддерживает кастомные IP-блоки в слое интерконнекта, что делает решение не строго отраслевым стандартом, а гибкой платформой под конкретного заказчика. Сроки выхода на рынок не названы, но ориентир — конец 2020-х – начало 2030-х годов.
zNAND-O: Хранилище рядом с вычислениями
zNAND-O — это решение для размещения стеков NAND-памяти (4 или 8 штук) непосредственно на логическом кристалле. Технология базируется на платформе BV-NAND и предназначена для edge-ИИ систем, требующих высокой плотности хранения и низкой задержки при инференсе в реальном времени. Детали архитектуры засекречены, но акцент сделан на улучшении I/O-производительности и снижении латентности.
BV-NAND: 10-е поколение 3D NAND
Под брендом BV-NAND Samsung представила свое 10-е поколение 3D NAND (V10). Это классическая архитектура слияния массива NAND поверх I/O-логики, но с использованием передовых техпроцессов для логики, что позволяет достичь высоких скоростей передачи данных.
Ключевые спецификации 10-го поколения V-NAND:
- Слои: 400+ слоев (4xx-Layer).
- Плотность: 28 Gb/mm².
- Скорость I/O: до 5600 MT/s.
- Тип ячеек: TLC.
Сравнение с конкурентами
Хотя плотность Samsung (28 Gb/mm²) уступает Kioxia/SanDisk BiCS10 (>37 Gb/mm²), Samsung компенсирует это рекордной скоростью I/O. Ниже приведено сравнение ключевых параметров 3D NAND от ведущих производителей.
| Производитель / Технология | Поколение | Слои | Плотность (Gb/mm²) | Скорость I/O (MT/s) | Тип ячеек |
|---|---|---|---|---|---|
| Samsung (BV-NAND / V10) | 10-е поколение | 4xx-Layer | 28 | 5600 | TLC |
| Kioxia / SanDisk (BiCS10) | BiCS10 | 332-Layer | >37 | 4800 | QLC / TLC |
| SK hynix | Gen 9 | 321-Layer | 20 | 3600 | TLC |
| YMTC | Xtacking 3.0 / Gen 4 | 232-Layer | >20 | 3600 | TLC |
| Micron | Gen 9 | 276-Layer | 21.0 | 3600 | TLC |
Новое брендирование BV-NAND может стать маркетинговым ходом для выделения продуктов Samsung на рынке SSD, особенно учитывая, что скорость самой памяти теперь превышает возможности интерфейса PCIe 5.0 x4, что делает I/O-скорость NAND критическим фактором для накопителей среднего уровня.
Источник: Tom's Hardware ↗