Прорыв на Hot Chips 2026
На конференции Hot Chips 2026 представитель Samsung Сангук Хан (Sangwook Han) официально подтвердил, что компания готовится к поставкам памяти HBM4E с тактовой частотой 16 Гбит/с на пин. Это значительное улучшение по сравнению с текущими поставками HBM4E, которые с конца мая 2026 года работают на скорости 14 Гбит/с. Также стоит отметить, что предыдущее поколение HBM4 уже поставляется со скоростью 11.7 Гбит/с, что делает переход к HBM4E особенно впечатляющим шагом в эволюции высокоскоростной памяти.
Технические характеристики и производительность
Новая архитектура HBM4E использует 6-е поколение 10-нм процесса, оптимизированного для DRAM, и кастомный базовый кристалл, изготовленный по узлу Samsung 4 nm SF4. Это позволяет достичь беспрецедентной пропускной способности. При 16 Гбит/с на пин и 2048 пинах в стеке максимальная пропускная способность одного стека HBM4E составит 4 ТБ/с. Для сравнения, при текущей скорости 14 Гбит/с этот показатель составляет 3.6 ТБ/с.
| Параметр | HBM4 (текущее) | HBM4E (текущее) | HBM4E (новое, 16 Гбит/с) |
|---|---|---|---|
| Скорость на пин | 11.7 Гбит/с | 14 Гбит/с | 16 Гбит/с |
| Макс. пропускная способность (стек) | ~2.98 ТБ/с | 3.6 ТБ/с | 4 ТБ/с |
| Техпроцесс DRAM | 10 нм (пред. поколение) | 10 нм (6-е поколение) | 10 нм (6-е поколение) |
| Базовый кристалл | — | — | 4 nm SF4 |
Конфигурации и плотность памяти
На данный момент Samsung предлагает HBM4E в 12-слойной конфигурации с плотностью 48 ГБ на стек. Однако требования клиентов диктуют необходимость расширения линейки. В будущем будут доступны конфигурации с 8 слоями (32 ГБ) и 16 слоями (64 ГБ). Учитывая, что один ИИ-ускоритель или GPU может содержать около дюжины таких стеков, общая пропускная способность системы становится критически важной для обработки больших языковых моделей и сложных вычислений.
Значение для рынка
Подтверждение скорости 16 Гбит/с служит сильным сигналом для партнеров Samsung, включая производителей ИИ-чипов, таких как NVIDIA и AMD. Увеличение пропускной способности напрямую влияет на эффективность обучения и инференса нейросетей. В условиях, когда спрос на память превышает предложение, способность Samsung быстро масштабировать производство и улучшать технические характеристики HBM4E укрепляет её позиции на рынке высокопроизводительных вычислений.
Источник: TechPowerUp ↗