Валидация кремния и архитектура HBC
Компания Qualcomm официально подтвердила успешную валидацию кремниевых образцов своей технологии High Bandwidth Compute (HBC) в лаборатории в Сан-Диего. В отличие от традиционных решений на базе HBM, где используется отдельный вычислительный кристалл, HBC интегрирует вычислительное ядро непосредственно в основание 3D-стэка памяти. Технология использует чипы LPDDR, соединенные вертикально через сквозные кремниевые переходы (TSV). Это позволяет выполнять вычисления «near-memory» (возле памяти), сокращая путь данных с сантиметров до микрон.
Ключевые метрики производительности
Первое поколение HBC (HBC Gen 1) продемонстрировало впечатляющие результаты на тестовом ускорителе AI250. Главная особенность технологии — использование энергоэффективной LPDDR памяти вместо стандартной DDR, что обеспечивает сопоставимую пропускную способность при меньшем энергопотреблении. Qualcomm заявляет о 6-кратном увеличении пропускной способности на ватт по сравнению со спецификацией HBM текущего поколения.
| Параметр | Qualcomm HBC Gen 1 (AI250) | Предыдущее поколение (AI200 / LPDDR5X) |
|---|---|---|
| Общая пропускная способность памяти | 133 ТБ/с | ~7.4 ТБ/с (расчетно, 18x меньше) |
| Относительный прирост пропускной способности | — | База (1x) |
| Энергоэффективность (пропускная способность/Вт) | 6x выше стандарта HBM | Стандартная |
| Архитектура памяти | 3D-стэк LPDDR + вычислительное основание | LPDDR5X |
Даты выхода и дорожная карта
Первые образцы чипов HBC Gen 1 появятся в первой половине 2027 года. Ожидается, что они будут интегрированы в AI-ускоритель AI250. Qualcomm подчеркивает, что эта архитектура масштабируема и может быть применена в широкой линейке своих будущих AI-ускорителей, что делает технологию стратегически важной для развития инфраструктуры инференса больших языковых моделей.
Источник: TechPowerUp ↗