Революция 3D-структур: zHBM и zNAND-O
Samsung Electronics представила на FMS 2026 в Санта-Кларе свои амбициозные планы по развитию памяти для искусственного интеллекта. Ключевыми новинками стали концептуальные модели zHBM и zNAND-O, которые меняют парадигму размещения памяти относительно процессоров.
Архитектура zHBM предполагает вертикальную укладку памяти HBM непосредственно над ИИ-ускорителем, а не сбоку, как в текущих решениях. Это минимизирует путь данных, что должно обеспечить:
- Производительность, примерно в 8 раз превышающую показатели HBM5;
- Плотность памяти более чем в 10 раз выше, чем у HBM5;
- Трехкратное улучшение энергоэффективности;
- Снижение теплового сопротивления более чем на 50%.
Также представлена технология zNAND-O — решение на базе V-NAND для edge-вычислений, доступное в 4- и 8-слойных версиях. Оно оптимизировано для приложений реального времени с низким латентным откликом.
V10 BV-NAND: 400+ слоев и новый метод связывания
Самым значимым техническим достижением стало представление чипа V10 BV-NAND. Это первый в индустрии NAND-накопитель, использующий технологию wafer bonding (связывания пластин) для создания 3D-структуры. По сравнению с предыдущим поколением V9, Samsung удалось увеличить плотность памяти примерно на 58%.
Чип содержит более 400 слоев и демонстрирует улучшенные показатели чтения, записи и пропускной способности I/O, что критически важно для хранения больших данных в ИИ-кластерах.
Портфолио и дорожная карта: от HBM4E до PIM
На стенде было представлено около 30 технологий. Samsung подчеркивает свое лидерство в массовом производстве передовых DRAM-решений:
- HBM4E: Образцы уже отгружены глобальным клиентам с мая 2026 года (массовое производство HBM4 началось в феврале).
- LPDDR5X-PIM: Первая в мире память LPDDR с технологией Processing-in-Memory (PIM), выполняющая вычисления непосредственно внутри чипа.
- Enterprise Storage: Решения PM1763 и BM1773 для нужд ИИ-дата-центров.
Сравнение ключевых характеристик новых решений
| Технология | Ключевая особенность | Сравнение с предшественниками/аналогами |
|---|---|---|
| zHBM | Вертикальная интеграция над ускорителем | В 8 раз быстрее HBM5, плотность >10x HBM5 |
| V10 BV-NAND | 400+ слоев, wafer bonding | Плотность выше на ~58% (vs V9) |
| LPDDR5X-PIM | Processing-in-Memory | Первое в индустрии решение данного типа |
| zNAND-O | Edge AI, низкая задержка | 4- и 8-слойные версии для периферийных устройств |
Стратегия Turnkey-решений
Как единственный IDM (интегральное производство), обладающий мощностями в области памяти, литейного производства (foundry) и передового пакетирования, Samsung предлагает клиентам «под ключ» услуги от проектирования до массового выпуска. Это позволяет сократить циклы разработки и быстрее выводить на рынок дифференцированные ИИ-чипы, оптимизированные по энергоэффективности.
Источник: TechPowerUp ↗