Исторический прорыв в Villach
Компания Infineon Technologies AG объявила о завершении ключевого этапа в производстве полупроводников: успешной обработке 300-миллиметровых пластин из карбида кремния (SiC) в функциональные силовые устройства. Завод в Виллахе (Австрия) стал первой в мире фабрикой, реализовавшей этот переход в условиях полномасштабного производства. Уникальность достижения заключается в том, что процесс был осуществлен с использованием существующего оборудования для производства кремниевых (Si) пластин, что значительно снижает капитальные затраты на масштабирование.
Экономическая эффективность и метрики
Переход на 300-мм пластины карбида кремния предлагает существенное преимущество перед текущим стандартом в 200 мм. Увеличение диаметра пластины позволяет получить значительно больше чипов с одной подложки, что напрямую влияет на себестоимость конечного продукта. Ниже приведено сравнение ключевых параметров:
| Параметр | 200 мм (Текущий стандарт) | 300 мм (Новый стандарт Infineon) |
|---|---|---|
| Количество чипов на пластину | Базовое значение | В 2,3 раза больше |
| Используемое оборудование | Специализированное для SiC | Адаптированное Si-оборудование |
| Технология разделения пластин | Проводковая пила | Cold Split (Дрезден, Германия) |
Технология Cold Split и синергия с GaN
Параллельно с производством в Австрии, на заводе в Дрездене (Германия) была подтверждена жизнеспособность технологии Cold Split для 300-мм SiC. Этот метод отделения пластин от кристалла (boule) требует меньше материала и времени по сравнению с традиционной проводковой пилой, что снижает капитальные расходы (CAPEX) и повышает выход годных пластин. Это решение дополняет недавнее объявление Infineon об инвестициях в размере 1,1 млрд евро в завод по производству полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) на 300-мм пластинах в том же Виллахе.
Применение: от электромобилей до AI-центров
Карбид кремния критически важен для энергоэффективных систем преобразования мощности. Благодаря своим свойствам, SiC обеспечивает снижение потерь энергии, высокую плотность мощности и работу при высоких напряжениях и температурах. Основные рынки сбыта включают:
- Автомобильная промышленность: тяговые инверторы, бортовые зарядные устройства, зарядные станции для EV.
- Промышленность: приводы, системы хранения энергии, ИБП.
- AI-дата-центры: твердотельные трансформаторы, автоматические выключатели и блоки питания, где спрос на SiC стремительно растет.
Стратегия будущего
По словам генерального директора Infineon Йохена Ханебека, этот шаг укрепляет лидерство компании в силовой электронике. Теперь Infineon контролирует производство на 300-мм пластинах для всех трех ключевых материалов: кремния (Si), нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC). Компания планирует согласовывать темпы внедрения 300-мм SiC-технологии с клиентами, продолжая параллельно развивать производство на 200-мм пластинах для обеспечения текущих потребностей рынка.
Источник: TechPowerUp ↗