Прорыв в плотности и скорости
Компания Micron представила дорожную карту своего следующего поколения 3D NAND-памяти, получившей кодовое обозначение G11. Это решение позиционируется как самое передовое в индустрии на момент запуска. Ключевые характеристики G11 включают переход на архитектуру с более чем 400 слоями и внедрение технологии связывания пластин (wafer-on-wafer bonding). Ожидается, что плотность хранения данных удвоится по сравнению с текущим поколением G9 (N160), достигнув отметки 42 Гбит/мм² (против 21 Гбит/мм² у G9).
Технология Wafer-on-Wafer: почему это важно
Главным архитектурным нововведением G11 станет использование технологии wafer-on-wafer bonding. Ранее Micron использовала архитектуру CMOS-under-array, но новый подход позволяет изготавливать массив памяти и периферийные схемы (логические цепи, интерфейсы I/O) на разных пластинах с использованием оптимальных для каждой части процессов, а затем соединять их. Это дает гибкость в оптимизации производительности и емкости независимо друг от друга. Как отметил Скотт ДеБоер (Scott DeBoer), президент и главный технологический директор Micron, это решение становится экономически целесообразным именно сейчас.
Сравнение характеристик: G9 против G11
Переход на G11 обещает существенный скачок в производительности и энергоэффективности. Ниже приведено сравнение ключевых метрик текущего поколения и будущей архитектуры:
| Параметр | Micron G9 (N160) | Micron G11 (Next-Gen) |
|---|---|---|
| Плотность бит | 21 Гбит/мм² | 42 Гбит/мм² |
| Скорость интерфейса I/O | 3 600 MT/s | 5 400 MT/s (+50%) |
| Энергопотребление на бит | Базовый уровень | Снижение более чем на 25% |
| Количество слоев | ~176-180 (оценка) | > 400 |
Масштабирование за пределы G11
Помимо увеличения количества слоев, Micron планирует продолжать масштабирование по осям X и Y (уменьшение размеров ячеек). Для этого разрабатываются новые материалы с высокой подвижностью носителей заряда и более плотные архитектуры ячеек. Это необходимо, так как простое наращивание слоев становится все более сложным с точки зрения производственных процессов. Точные технические детали и спецификации G11 будут раскрыты ближе к началу массового производства во второй половине 2027 года.
Источник: Tom's Hardware ↗