Отказ от 4F и переход к 3D-архитектуре
Президент Micron Скотт ДеБоер заявил, что DRAM приближается к атомным пределам масштабирования. Компания официально исключила технологию 4F из своей дорожной карты, сделав ставку на 3D-структуры. По словам ДеБоера, переход к 3D-DRAM будет осуществлен только тогда, когда это обеспечит оптимальное соотношение стоимости, сложности и производительности по сравнению с планарными решениями. В текущей дорожной карте 3D-поколения (3D1 и 3D2) расположены между узлами zeta и eta, но их запуск зависит от готовности технологии.
Дорожная карта процессов: от 1δ до High-NA EUV
Micron детализировала свои планы по развитию техпроцессов на ближайшие годы. Текущий узел 1γ уже в массовом производстве, а его преемник 1δ выйдет в 2027 году с увеличением плотности битов на 20%. Дальнейшее развитие будет опираться на стэкирование пластин (wafer bonding) и литографию High-NA EUV.
| Техпроцесс / Поколение | Ключевая технология | Статус / Ожидаемый запуск | Примечание |
|---|---|---|---|
| 1γ (1 gamma) | Текущий узел | В массовом производстве | — |
| 1δ (1 delta) | Оптимизация для AI | 2-я половина 2027 года | +20% плотности битов, поддержка HBM5 |
| 1ε (1 epsilon) | Wafer Bonding | В разработке | Стэкирование пластин для дальнейшего масштабирования |
| ζÅ (Zeta Angstrom) | High-NA EUV | Будущее поколение | Переход на суб-10нм класс с EUV |
| ηÅ (Eta Angstrom) | Новые материалы | Будущее поколение | 2-е поколение суб-10нм, новые диэлектрики/металлы |
Вертикальная память: vHBM и vEIM
Параллельно с развитием процессов Micron разрабатывает новые форм-факторы памяти, интегрируемые непосредственно на кристалл процессора. Это позволяет сократить задержки и повысить пропускную способность за счет укорочения соединений.
- vHBM (Vertical High-Bandwidth Memory): Стек памяти размещается сверху над AI-ускорителями. Это решает проблему пропускной способности, но создает серьезные тепловые вызовы. Micron разрабатывает специальные структуры для отвода тепла. vHBM дополнит, а не заменит традиционный HBM, который останется основным источником емкости.
- vEIM (Vertical Edge Inference Memory): Ориентирована на энергоэффективность для edge-устройств (автономные автомобили, робототехника). Первое поколение vEIM обещает пропускную способность 2 ТБ/с при энергопотреблении менее 1 пДж/бит, что сопоставимо с показателями HBM4.
Значение для индустрии
Развитие vHBM и vEIM требует внедрения гибридного стэкирования (hybrid bonding) для создания плотных соединений, заменяющих традиционные микро-бампы. Это знаменует сдвиг в парадигме: память перестает быть просто компонентом, а становится критически важным элементом архитектуры ASIC, требующим тесной коллаборации между производителями DRAM и разработчиками логики. Micron сотрудничает с Albany NanoTech по вопросам литографии, что указывает на важность совместной разработки пре-конкурентных IP-решений для отрасли.
Источник: Tom's Hardware ↗