Переход к 3D-стеку: конец эры плоского масштабирования
Micron официально подтвердила разработку следующего поколения флеш-памяти — G11. Это станет первым продуктом компании, использующим технологию 3D NAND с вертикальным стекированием. Текущее поколение G9, уже поставляемое в широком ассортименте, достигло предела возможностей при использовании более 200 слоев. Для дальнейшего масштабирования Micron переходит к архитектуре, аналогичной китайскому гиганту YMTC (технология Xtacking), разделяя кремниевую пластину на два компонента: один для ячеек памяти, другой — для периферийной логики.
Технология Hybrid Bonding и удвоение плотности
Ключевым элементом G11 станет wafer-to-wafer bonding (гибридное соединение пластин). Металлические выступы на обратной стороне пластин сплавляются, создавая монолитную структуру. Это позволяет не просто увеличить количество слоев, но и радикально повысить плотность размещения. Micron заявляет, что плотность памяти на квадратный миллиметр вырастет с 21 Gb/mm² (G9) до 42 Gb/mm² (G11). Фактически это означает удвоение емкости модулей при сохранении техпроцесса.
Производительность: скорость и энергоэффективность
Помимо плотности, G11 предлагает существенный прирост скорости передачи данных. Интерфейс I/O будет работать на частоте 5,400 MT/s, что на 50% быстрее, чем 3,600 MT/s у G9. Также ожидается снижение энергопотребления на передачу одного бита на 25%. Однако реальная скорость SSD будет зависеть от контроллера, прошивки и интерфейса (PCIe/NVMe), поэтому потребительские бенчмарки появятся позже.
| Параметр | Micron G9 (Текущее) | Micron G11 (Планы 2027) |
|---|---|---|
| Технология стека | 3D NAND (200+ слоев) | 3D NAND (400 слоев, W2W bonding) |
| Плотность памяти | 21 Gb/mm² | 42 Gb/mm² (x2) |
| Скорость I/O | 3,600 MT/s | 5,400 MT/s (+50%) |
| Энергоэффективность | Базовый уровень | -25% на бит |
| Дата выхода | В продаже | 2-я половина 2027 года |
Контекст рынка и конкуренция
Решение Micron следовать пути YMTC в области 3D-стека подчеркивает глобальную гонку вооружений в полупроводниковой отрасли. Китайский производитель уже доминирует на рынке NAND-накопителей, обогнав Micron, Kioxia и Western Digital по доле рынка. Анонс G11 — это ответ американского гиганта на технологическое давление, позволяющий сохранить лидерство в сегменте высокопроизводительных хранилищ. Массовое производство G11 запланировано на вторую половину 2027 года, что совпадает с ожидаемым окончанием дефицита памяти на рынке.
Источник: TechPowerUp ↗