Отказ от 4F² и переход к 3D-DRAM
В отличие от конкурентов — Samsung, SK hynix и CXMT, которые планируют масштабирование через уменьшение площади ячейки до 4F², Micron выбрала иной путь. Президент и главный технологический директор Micron Скотт ДеБоер заявил, что планарная DRAM приближается к атомным пределам. Компания сосредоточится на внедрении 3D-DRAM в оптимальный момент с точки зрения стоимости и производительности, а также на использовании новых материалов для 3D-NAND.
Дорожная карта планарной DRAM: 1δ, 1ε и ζÅ
Micron раскрыла детали своих производственных узлов. Ключевым событием станет запуск массового производства узла 1δ (1-delta) во второй половине 2027 года. Этот процесс обеспечит рост плотности битов на ~50% по сравнению с текущим узлом 1γ. В дальнейшем компания планирует использовать технологию wafers bonding (соединение пластин) для узла 1ε и литографию High-NA EUV для узла ζÅ (зета-ангстрем), который ожидается не ранее 2030 года.
| Узел | Технология/Особенности | Статус / Ожидаемый запуск | Ключевые улучшения |
|---|---|---|---|
| 1γ (1-gamma) | Первый узел с EUV (DUV multipatterning ранее) | В массовом производстве (HVM) | Текущий стандарт |
| 1δ (1-delta) | HKMG CMOS, новые материалы, контроль на ангстремном уровне | Массовое производство: H2 2027 | Плотность +50%, энергоэффективность |
| 1ε (1-epsilon) | Wafer bonding (соединение пластин) | В разработке (даты не объявлены) | Гибкость дизайна, новые структуры |
| ζÅ (zeta-angstrom) | High-NA EUV литография | Ранняя стадия (не ранее 2030) | Уменьшение критических размеров |
| ηÅ (eta-angstrom) | Новые материалы (фоторезисты, диэлектрики) | Pathfinding (поиск путей) | Дальнейшее масштабирование планарных ячеек 6F² |
Кастомная память для ИИ: HBM4E и vHBM
Особое внимание уделено кастомизации памяти под задачи ИИ-разработчиков. Micron представит custom HBM4E (cHBM4E), позволяющий заказчикам уменьшать ширину шины ввода-вывода или интегрировать дополнительную логику в базовый кристалл (base die). Это освободит место для вычислений и оптимизирует энергопотребление.
В будущем компания планирует推出 vertical HBM (vHBM) и vertical Edge Inference Memory (vEIM), где память будет стекаться непосредственно поверх ASIC и CPU, а не просто устанавливаться рядом. Для базовых кристаллов кастомных решений Micron будет использовать передовые техпроцессы foundry, выбирая наиболее экономичный вариант под требования клиента.
Источник: Tom's Hardware ↗