Micron строит завод HBM в Хиросиме за $9,3 млрд

Стратегическое расширение в Хиросиме

Компания Micron официально начала строительство нового производственного комплекса в префектуре Хиросима, Япония. Общий объем инвестиций составляет ¥1,5 трлн (около $9,3 млрд). Это крупнейшее вложение компании в японскую инфраструктуру, которое подтверждает планы по созданию специализированного завода по производству памяти High Bandwidth Memory (HBM). Установка оборудования запланирована на вторую половину 2028 года.

Финансовая модель и господдержка

Проект имеет критическое геополитическое значение, так как Micron остается единственным зарубежным производителем DRAM на территории Японии. Для снижения рисков японское правительство предоставляет субсидии в размере до ¥500 млрд ($3 млрд). С учетом предыдущих мер поддержки, общая помощь Токио компании достигла ¥775 млрд ($4,7 млрд). Это позволяет компании компенсировать высокие затраты на строительство и локализацию производства.

Локализация и цепочки поставок

Новый завод в Хиросиме, где Micron ранее произвела свои первые образцы HBM, будет ориентирован на передовые технологии памяти. Ключевой особенностью проекта является высокая степень локализации: около 80% необходимых материалов уже закупаются в Японии. Это укрепляет независимость цепочек поставок в условиях глобальной конкуренции за чипы для искусственного интеллекта.

Глобальная экспансия и партнерства

Параллельно с японским проектом Micron активно масштабируется в других регионах. В США компания строит два передовых завода в Бойсе (Айдахо) и недавно начала строительство производственного сайта стоимостью $100 млрд рядом с Сиракьюсом (Нью-Йорк). Кроме того, Micron заключила долгосрочное соглашение с Ford Motor Company о поставках памяти и решений для хранения данных для автомобилей следующего поколения, используя завод в Манассасе (Вирджиния) для локализации поставок.

Источник: TechPowerUp ↗