AI-новости19 сентября 2026 г., 07:19 МСК🤖 Auto

Kioxia XL1: CXL-накопитель на NAND для дешевой памяти

Kioxia представила устройство XL1 на базе CXL 2.0 и NAND XL-FLASH Gen2. Это решение позволяет расширять память серверов, избегая высокой стоимости DRAM, сохраняя при этом низкую задержку.

Баннер новости 7853

Новый формат E3.S и спецификации

На выставке FMS 2026 компания Kioxia показала устройство XL1 в форм-факторе E3.S. Это устройство типа 3 (Type 3), предназначенное для расширения памяти через интерфейс CXL 2.0, а не стандартный PCIe. Для системных архитекторов это означает гибкость: серверы могут одновременно использовать традиционные NVMe SSD и новые CXL-устройства памяти.

Ключевая особенность накопителя — использование технологии XL-FLASH Generation 2. В отличие от стандартных TLC или QLC NAND, XL-FLASH предлагает значительно более высокую выносливость (endurance) и меньшую задержку, что критично для задач, требующих частого записи данных.

Производительность и метрики

Демонстрационное устройство имело объем 512 ГБ. В ходе тестов на стенде были получены следующие результаты:

  • Пропускная способность: почти 1 ГБ/с.
  • Задержка (Latency): 755 нс.
  • Производительность IOPS: почти 2 миллиона IOPS при нагрузке 100% с размером блока 512 байт.

Сравнение с традиционными решениями

Хотя DRAM-решения на CXL технически быстрее, они значительно дороже. Kioxia XL1 позиционируется как решение для «холодных» и «теплых» данных, позволяя смешивать типы памяти в одной системе. Это напоминает архитектуру Intel Optane, где быстрая память использовалась для горячих данных, а более медленная — для объемных хранилищ.

Параметр Kioxia XL1 (CXL 2.0) Стандартная DRAM (CXL)
Тип носителя NAND XL-FLASH Gen2 DRAM
Задержка 755 нс Низкая (единицы нс)
Стоимость за ГБ Ниже (NAND-based) Высокая
Основное назначение Расширение памяти, холодные/теплые данные Критичные к задержке задачи

Почему это важно

В условиях дефицита и высокой стоимости DRAM, решение Kioxia предлагает экономически эффективный путь масштабирования памяти серверов. Используя CXL, компании могут создавать гибридные пулы памяти: быстрая DRAM для активных процессов и более дешевая, но быстрая для NAND XL-FLASH для больших объемов данных. Это снижает общую стоимость владения (TCO) для дата-центров без критической потери производительности в сценариях с неравномерным доступом к данным.

Источник: ServeTheHome ↗