Прорыв в плотности и производительности
Kioxia и SanDisk официально анонсировали начало сэмплинга своей новейшей памяти 3D NAND — 10-го поколения BiCS (BiCS10). Ключевая особенность чипов — архитектура с 332 активными слоями и плотностью записи более 29 Гб/мм². Это решение позиционируется исключительно для сегмента дата-центров (enterprise-grade), где критичны не столько стоимость, сколько максимальная плотность хранения данных и скорость обработки запросов.
Новые чипы поддерживают скорость передачи данных до 4 800 MT/s, что делает их идеальной основой для SSD с интерфейсами PCIe 5.0 и 6.0. В отличие от предыдущих поколений, BiCS10 не ориентирована на потребительский рынок (клиентские устройства), уступив эту нишу 9-му поколению BiCS9.
Технологическое преимущество: умное управление напряжением
Главный инновационный ход Kioxia заключается в переработанной схеме чтения. В традиционных чипах после каждого чтения линии слов (word lines) полностью разряжаются до земли (VSS). В 332-слойной структуре это требует много времени и энергии. BiCS10 использует промежуточное напряжение: если следующее действие — чтение, линия не разряжается полностью, а лишь немного снижается, а затем быстро возвращается к рабочему напряжению (VREAD).
Это решение дало следующие результаты для облачных и серверных нагрузок:
- Задержка чтения (Read Latency): снижена примерно на 10% (на 4 мкс).
- Энергопотребление: уменьшено на 25% (с ~100 мДж/ГБ до ~75 мДж/ГБ).
Сравнение с конкурентами
Несмотря на то, что у Samsung заявлено 400 слоев в чипах V10, Kioxia утверждает, что их 332-слойный чип превосходит конкурента по фактической плотности битов. Ниже приведено сравнение ключевых характеристик актуальных поколений 3D NAND от ведущих производителей.
| Параметр | Kioxia/SanDisk (BiCS10) | Samsung (V10) | SK hynix (Gen 9) | YMTC (Xtacking 3.0) |
|---|---|---|---|---|
| Количество слоев | 332 | 4xx | 321 | 232 |
| Плотность (Gb/mm²) | >29 | 28 | 20 | >20 |
| Тип памяти | TLC | TLC | TLC | TLC |
| Емкость кристалла | 1 Тб | 1 Тб | 1 Тб | 1 Тб |
| Скорость I/O | до 4 800 MT/s | до 5 600 MT/s | до 3 600 MT/s | — |
Производственная стратегия
Kioxia разделила производство новых чипов по заводам для оптимизации затрат. Флагманские 332-слойные чипы BiCS10 будут выпускаться на новом заводе Fab 2 в Китиками (префектура Ивате), оснащенном самым современным оборудованием. В то же время производство 218-слойных чипов BiCS9 для клиентского сегмента останется на заводе в Йоккаichi, что позволяет использовать амортизированное оборудование для выпуска более дешевых продуктов массового рынка.
Источник: Tom's Hardware ↗