Прогноз Nvidia: 2030 год как рубеж
В интервью подкасту The All-In Podcast (отметка 43:43) генеральный директор Nvidia Дженов Хуан выразил уверенность, что Китай разработает собственные литографические системы, сопоставимые с решениями ASML, всего за три-четыре года. По его словам, к 2030 году эта цель будет достигнута, так как Китай обладает исключительными навыками в организации массового производства.
Хуан отметил, что для Китая это вопрос времени, а не невозможной технологии. Он добавил, что с точки зрения китайской стороны, они уже находятся на этом уровне, несмотря на текущие ограничения.
Реальность: SMEE и технологический разрыв
Тем не менее, текущее состояние китайской полупроводниковой индустрии существенно отстает от прогнозов Nvidia. Ведущий производитель литографического оборудования Китая, компания Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE), на данный момент способен массово производить сканеры на основе 193-нм ArF сухой литографии, что позволяет создавать чипы по техпроцессу 90 нм.
Существуют сообщения о разработке 28-нм сканера с иммерсионной литографией (ArF immersion), однако нет публичных подтверждений их серийного производства. Даже если первые такие установки будут поставлены в 2026 году, их квалификация и внедрение в массовое производство займут годы. Ожидать широкого использования таких систем до 2028–2029 годов преждевременно.
Сравнение возможностей: Китай vs ASML
Даже в случае успешного запуска производства 28-нм иммерсионных сканеров, Китай будет значительно отставать от современных систем ASML. Ниже приведено сравнение текущего состояния технологий:
| Параметр | Текущий уровень Китая (SMEE) | Цель к 2030 (по Хуану) | Текущий уровень ASML |
|---|---|---|---|
| Тип литографии | ArF Dry (сухая) | ArF Immersion (иммерсионная) | ArF Immersion & EUV |
| Техпроцесс (ориентировочно) | 90 нм | 28 нм | 3 нм / 2 нм (EUV) |
| Статус массового производства | Да | Не подтверждено (прототипы/квалификация) | Да (массовое) |
| ЭУВ (EUV) литография | Отсутствует (есть источники плазмы) | Неясно (требуется прототип) | НX: 2000i/2600i (массовое) |
Проблема экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии
Ситуация с EUV-литографией, необходимой для производства современных чипов, выглядит еще более критично. Хотя китайские ученые разработали источник лазерной плазмы, генерирующий свет с длиной волны 13,5 нм, сборка полноценного прототипа EUV-сканера остается далекой перспективой.
Для создания производственного EUV-сканера необходимо решить сложнейшие задачи в области:
- Точных стадий перемещения пластин и ретикул;
- Систем выравнивания и наложения (overlay);
- Проекционной оптики;
- Метрологии.
Если Китай все еще испытывает трудности с промышленной реализацией этих технологий для иммерсионной DUV-литографии, маловероятно, что они уже решены на более сложном EUV-уровне. Однако, учитывая стратегическую важность гонки ИИ и решимость китайского правительства, достижение технологического паритета может стать вопросом времени, даже если сроки Хуана окажутся завышенными.
Источник: Tom's Hardware ↗