Миллионный рубеж и лидерство в High-NA
Intel официально объявила о том, что обработала более 1 миллиона 300-мм пластин с использованием сканеров High-NA EUV. Этот показатель включает этапы установки, сертификации, R&D и производства. Для сравнения: в феврале 2025 года объем составлял около 30 000 пластин, что свидетельствует об экспоненциальном росте использования технологии. На данный момент Intel использует парк из двух сканеров ASML Twinscan EXE:5000 и как минимум один более быстрый EXE:5200B.
Важность достижения подчеркивается данными ASML: к апрелю 2025 года все отгруженные High-NA сканеры в индустрии в совокупности обработали чуть более 500 000 пластин при доступности выше 80%. Таким образом, Intel обработала больше пластин на этом оборудовании, чем вся остальная индустрия вместе взятая. Эти инструменты уже сертифицированы для технологического процесса 18A и используются в производстве процессоров Panther Lake.
Проблема «шитья» (Stitching) и падение производительности
В настоящее время Intel использует стандартные маски размером 6x6 дюймов. Из-за аноморфного увеличения 4x/8x в High-NA EUV (0.55 NA) площадь экспонирования составляет всего 26×16.5 мм. Для больших кристаллов это требует разделения поля на две половины и их последующего совмещения — процесса, известного как «шитье» (stitching). Это решение имеет серьезные недостатки:
- Снижение пропускной способности: производительность падает с 175 пластин в час (на EXE:5200B) до 125 пластин в час.
- Сложности проектирования: инженеры теряют свободу в размещении элементов (floor planning).
- Риски брака: требуется сверхточное выравнивание двух экспозиций. Малейшее смещение на границе шва может разрушить межсоединения, что критично для крупных CPU и GPU.
Переход на маски 6x12 дюймов: стратегия Intel
Чтобы избежать шитья, Intel выступает инициатором перехода на увеличенные фотомаски размером 6x12 дюймов. Это позволит экспонировать полное поле 26×33 мм за один проход. Однако это требует масштабной перестройки всей экосистемы: от производства масок и систем очистки до переделки самих сканеров High-NA. По roadmap ASML, все сканеры до 2033 года проектируются под стандартные маски 6x6, но Intel активно лоббирует изменение стандарта, что может дать ей долгосрочное преимущество первого движущегося лица (first-mover advantage).
Сравнение параметров экспонирования
| Параметр | Стандартный EUV (0.33 NA) | High-NA EUV (0.55 NA) с маской 6x6" | High-NA EUV (0.55 NA) с маской 6x12" (цель) |
|---|---|---|---|
| Размер поля экспонирования | 26 × 33 мм | 26 × 16.5 мм (требуется шитье) | 26 × 33 мм (полное поле) |
| Пропускная способность (EXE:5200B) | ~200+ wafer/hour | ~125 wafer/hour | Целевой показатель выше (без шитья) |
| Сложность совмещения | Отсутствует | Высокая (риск дефектов на стыке) | Отсутствует |
| Статус индустрии | Действующий стандарт | Текущее решение Intel/ASML | В разработке (инициатива Intel) |
Почему это важно
Достижение миллиона пластин доказывает зрелость процесса 18A и надежность оборудования ASML. А попытка изменить стандарт масок с 6x6 на 6x12 дюймов — это не просто техническое улучшение, а геополитический и технологический ход. Если Intel удастся внедрить новый стандарт, она определит архитектуру литографии на десятилетия вперед, получив преимущество, которое трудно переоценить для конкурентов, привязанных к текущим решениям ASML.
Источник: Tom's Hardware ↗