AI-новости12 августа 2026 г., 13:17 МСК🤖 Auto

Intel возвращается в память? CEO Тан анонсировал стеккинг CPU и DRAM

Исполняющий обязанности CEO Intel Лип-Бу Тан раскрыл планы по возрождению подразделения памяти, намекая на интеграцию чипов DRAM непосредственно на кристалл процессора.

Баннер новости 5603

От «товара» к стратегическому активу

Лип-Бу Тан, занимающий пост исполняющего обязанности генерального директора Intel, заявил, что рынок памяти претерпел фундаментальные изменения. Если ранее он считал производство DRAM и NAND «коммодити-бизнесом» с низкой маржинальностью, то сейчас эта сфера стала стратегически важной. По его словам, индустрия «перезрела для инноваций», особенно на фоне взрывного роста спроса со стороны центров обработки данных для ИИ.

Тан признался, что новые архитектуры памяти стали одним из его личных приоритетов. «Раньше я говорил: не инвестируйте в память, это товарный бизнес. Теперь ситуация иная», — отметил он, подчеркнув, что компания активно изучает новые подходы к архитектуре хранения данных.

Кадровые перестановки как сигнал

Самым весомым доказательством серьезности намерений Intel стала недавняя кадровая сделка. Лип-Бу Тан нанял Сок-Хи Ли (Seok-Hee Lee), бывшего руководителя SK Hynix. Ли является одним из ключевых архитекторов современных решений в области памяти, включая HBM (High Bandwidth Memory). Назначение топ-менеджера с таким бэкграундом в Intel служит прямым сигналом о подготовке к запуску собственных проектов в этой области, хотя детали пока не раскрываются.

Технологический сдвиг: Стеккинг CPU и Memory

Главная интрига заключается в том, как именно Intel планирует конкурировать с лидерами рынка. Тан намекнул на использование технологий 3D-интеграции, позволяющих размещать память непосредственно над процессором. Это может стать альтернативой или дополнением к традиционным решениям на базе интерпозеров, как это реализовано в HBM.

Интересно, что недавно Intel получила патент на XBM (eXtended Bandwidth Memory), который предлагает отказаться от кремниевого интерпозера, используемого в текущих решениях HBM. Это указывает на желание компании создать собственную, более компактную и потенциально менее затратную технологию связки вычислений и памяти.

Исторический контекст и риски

Возвращение Intel в сферу памяти — это попытка исправить историческую ошибку. Компания была основана в 1968 году как производитель памяти, но в 1980-х годах уступила лидерство японским производителям и полностью покинула рынок. Последующие попытки вернуться через RDRAM, 3D XPoint (Optane) и 3D NAND завершились закрытием этих направлений без значительных убытков, но и без триумфа.

Почему это важно для рынка

Возвращение Intel в память может изменить баланс сил. Сейчас рынок DRAM и NAND контролируется Samsung, SK Hynix и Micron, которые получают рекордную прибыль. Появление нового игрока с доступом к передовым техпроцессам CPU и технологиям пакетирования (как Foveros) может ускорить внедрение гетерогенных архитектур в массовый сегмент. Однако скептики отмечают, что для строительства фабрики памяти и разработки конкурентоспособных процессов Intel потребуется колоссальный капитал, который сейчас приоритетно тратится на развитие контрактного производства (foundry).

Параметр Текущая ситуация (HBM/DDR5) Возможное решение Intel (на основе заявлений)
Архитектура Отдельный чип памяти + интерпозер (HBM) Прямой стеккинг памяти над кристаллом CPU
Ключевые игроки SK Hynix, Samsung, Micron Intel (в партнерстве с бывшими топ-менеджерами SK Hynix)
Технология интеграции 2.5D/3D через кремниевый интерпозер 3D-интеграция (возможно, на базе Foveros), отказ от интерпозера (патент XBM)
Статус бизнеса Высокомаржинальный «коммодити» Стратегический актив для ИИ-дата-центров

Источник: Tom's Hardware ↗