AI-новости15 июля 2026 г., 19:17 МСК🤖 Auto

Intel стал первым: массовый выпуск чипов на High NA EUV

Intel Foundry начала серийное производство логических чипов на процессном узле 18A с использованием литографии ASML High NA EUV. Технология применена для ключевых слоев процессоров Panther Lake.

Баннер новости 3643

Историческое достижение в литографии

Компания Intel официально стала первым производителем, начавшим массовый выпуск логических чипов с использованием технологии High NA EUV (High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet). Это подтверждено пресс-релизом ASML от 15 июля. Ключевым продуктом, использующим эту технологию, стали процессоры Intel Core Ultra Series 3 «Panther Lake» на архитектуре Intel 18A.

Важно отметить, что High NA EUV применяется не для всего чипа, а только для определенных слоев. Остальная часть производства остается на базе традиционной литографии. Такой гибридный подход позволяет снизить риски и оптимизировать затраты на этапе внедрения новой технологии.

Технические детали и метрики

Технология High NA EUV использует тот же 13.5-нанометровый экстремальный ультрафиолетовый свет, что и текущие сканеры, но увеличивает числовую апертуру (NA) объектива с 0.33 до 0.55. Это позволяет проецировать более мелкие и плотные паттерны схем на кремниевые пластины с высокой точностью, уменьшая необходимость в сложных многослойных техниках экспонирования (multi-patterning).

Ключевой особенностью внедрения стала «двойная квалификация» (dual-qualification). Слои, обработанные на новых сканерах ASML TWINSCAN EXE:5000/5200B, полностью совместимы с пластинами, изготовленными на существующих сканерах 0.33 NA. Это обеспечивает гибкость производства и позволяет использовать оба типа оборудования без потери качества или совместимости готовых изделий.

Сравнение параметров литографии

Массовое производство
Параметр Стандартная EUV (0.33 NA) High NA EUV (0.55 NA)
Числовая апертура (NA) 0.33 0.55
Разрешающая способность Базовая для современных узлов Выше на ~40%, позволяет печатать более мелкие элементы
Сложность многослойности Высокая для самых тонких слоев Снижена за счет лучшего контроля процесса
Статус внедрения Массовое производство
Первый серийный продукт Различные узлы (7 нм, 5 нм, 3 нм) Intel 18A (Panther Lake)

Оборудование и производственные мощности

Intel установила одну из первых в отрасли коммерческих систем High NA EUV TWINSCAN EXE:5000 в своем исследовательском центре в Хиллсборо (Орегон). Позже компания стала первым клиентом, прошедшим квалификацию второй генерации сканеров EXE:5200B, которые обеспечивают более высокую пропускную способность пластин и улучшенную точность совмещения слоев (overlay accuracy).

По словам Нанды Чандрасекхарана, исполнительного вице-президента Intel Foundry, квалификация процесса High NA на выбранных слоях Intel 18A позволяет существующему парку оборудования работать эффективнее, предоставляя гибкость для будущих технологических узлов.

Значение для рынка и будущих узлов

Запуск Panther Lake (Core Ultra Series 3) состоялся в январе 2026 года. Хотя сам продукт уже доступен покупателям, сообщение ASML касается потока пластин из фабрики в цепочку поставок. Это знаменует переход High NA EUV из стадии R&D в стадию коммерческого использования.

В долгосрочной перспективе эта технология критически важна для поддержания закона Мура. Следующим шагом станет использование High NA на узле Intel 14A, где технология будет применена к самым плотным слоям транзисторов. Это должно привести к увеличению плотности транзисторов и улучшению производительности, что особенно важно для растущих требований ИИ-нагрузок.

Источник: Tom's Hardware ↗