Суть технологии: 7nm-класс без EUV
GlobalFoundries представила новую технологическую платформу FDX Fusion, построенную на базе FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator). Ключевое отличие от традиционных процессов — достижение производительности уровня 7nm и плотности логики уровня 8nm без использования EUV-литографии. Вместо сложных FinFET-транзисторов компания использует продвинутые планарные транзисторы,strained silicon substrates и агрессивные методы оптического паттернинга (мультипаттернинг) на базе DUV.
Это решение снижает капитальные затраты на маски и производство, сохраняя при этом высокую гибкость цепочек поставок, так как не требует эксклюзивного оборудования ASML.
Ключевые метрики и сравнения
Согласно данным вице-президента подразделения FD-SOI Судипто Бозе, новая платформа предлагает значительный прирост характеристик по сравнению с текущим узлом 22FDX и конкурентами. Ниже приведено сравнение FDX Fusion с предшественниками и аналогами от других foundry.
| Параметр | FDX Fusion (GF) | 22FDX / 22FDX+ (GF) | 12LP+ (TSMC) | N7 (TSMC/Samsung) |
|---|---|---|---|---|
| Плотность логики (MTr/mm²) | 56 | 28-30 (оценка) | 30-40 | 91.2 |
| Тип транзисторов | Planar (FD-SOI) | Planar (FD-SOI) | FinFET | FinFET |
| Энергопотребление (при равной производительности) | -40% vs 22FDX -20% vs 12LP+ -5% vs N7 |
База | База | База |
| Производительность (при равном энергопотреблении) | +30% vs 22FDX +16% vs 12LP+ +4% vs N7 |
База | База | База |
| Частота fT/fmax | 500 GHz (0.5 THz) | Ниже | Информация недостаточна | Информация недостаточна |
| Планы HVM (Mass Production) | 2028 | 2018 | 2017 | 2017 |
Примечание: Сравнение энергоэффективности и производительности приведено при включенном Adaptive Body Biasing (ABB) для технологий FD-SOI.
Целевые рынки: Edge AI, Авто и Data Center
FDX Fusion не предназначена для замены CPU в высокопроизводительных серверах, где доминируют FinFET. Фокус смещен на приложения, где критичны RF-характеристики, аналоговые схемы и энергоэффективность:
- Связь (Connectivity): Wi-Fi, Bluetooth, сотовая связь, спутниковая коммуникация. Высокая частота fT/fmax (500 ГГц) делает чипы идеальными для mmWave.
- Edge AI (Physical AI): Микроконтроллеры (MCU) с встроенным инференсом. Платформа поддерживает множество вариантов eNVM и SRAM, что позволяет упаковывать больше памяти без роста стоимости.
- Автомобильный сектор: Радары на частоте 81 ГГц и автомобильные MCU.
- Data Center: Не CPU, а оптическая интерконнект-связь. FDX Fusion будет использоваться для создания усилителей слабых электрических сигналов (TIAs) и схем восстановления тактовой частоты в связке с кремниевой фотоникой GF.
Почему это важно
Возврат к «7nm-классу» через FD-SOI без EUV — это стратегический ход GlobalFoundries. Компания предлагает альтернативу дорогим и сложным в производстве FinFET-процессам (6nm/7nm), которые требуют огромных инвестиций в маски и оборудование. Для клиентов это означает снижение операционных расходов (OpEx) и большую гибкость в выборе производителей. Коммерческий запуск (HVM) запланирован на 2028 год, что дает время на отладку и адаптацию под задачи Edge AI и высокочастотной связи.
Источник: Tom's Hardware ↗