Масштаб производства и сравнение с лидерами рынка
Terafab, совместное предприятие Tesla и SpaceX, официально информировало производителей оборудования о своих производственных целях. План предполагает выпуск 1 миллиона пластин (wafers) в месяц после 2032 года. Структура производства будет следующей:
- 700 000 пластин — память (DRAM/NAND).
- 300 000+ пластин — логические чипы.
Для контекста: текущая оценочная мощность Samsung в производстве DRAM составляет 650 000–700 000 пластин в месяц. Если Terafab реализует свой план по памяти, он сравняется с Samsung по этому показателю, хотя и с оговоркой, что цифры Samsung относятся только к DRAM, а у Terafab — ко всей памяти.
| Компания / Проект | Тип продукции | Мощность (пластин/мес) | Примечание |
|---|---|---|---|
| Terafab (план после 2032) | Вся память | 700 000 | Включает DRAM и NAND |
| Terafab (план после 2032) | Логика | 300 000+ | Технологии не уточнены |
| Samsung | DRAM | 650 000 – 700 000 | Оценка за прошлый год |
| SK hynix | DRAM | ~550 000 | Цель — 1 млн к 2030 году |
| SK hynix (фабрика Wuxi) | DRAM | ~200 000 | Память Terafab в 3.5 раза больше |
Агрессивные сроки и закупки оборудования
Таймлайн проекта вызывает скепсис у отрасли, так как создание передового завода обычно занимает более трех лет. Terafab нацелена на начало объемного производства во второй половине 2028 года. Команда закупок уже посетила Японию для переговоров с местными поставщиками оборудования, требуя поставки в течение нескольких месяцев. Также представители Terafab присутствовали на SEMICON West, где подписали NDA с около 10 корейскими компаниями, производящими материалы и компоненты.
Технологии и партнерства
В части логических чипов Terafab работает с Intel над внедрением процессов 2 нм и 1.4 нм. Однако с памятью ситуация сложнее: 70% планируемого объема не имеет раскрытой технологии. Рассматривается техническая помощь от тайваньской компании, но партнер не назван. В вакансиях Tesla упоминается интеграция DRAM, а также перспективные технологии MRAM, RRAM и 3D DRAM, включая HBM и LPDDR для ИИ.
Инвестиции и статус проекта
Первая фаза проекта в округе Граймс (Техас) оценивается в $16.8 млрд, а общие инвестиции могут достичь $119 млрд при реализации всех фаз. Пилотный завод может быть завершен уже к июлю 2027 года. Первый тестовый чип SRAM запланирован на май-июнь 2027 года в исследовательском центре в Остине. Илон Маск признал сроки «очень агрессивными», добавив, что вносит большие погрешности в прогнозы. Вопрос участия TSMC остается открытым: компания настаивает на управлении заводами с ее участием, тогда как Musk планирует строить и эксплуатировать Terafab самостоятельно.
Источник: Tom's Hardware ↗