Старт производства и технические спецификации
Согласно отчету Reuters, компания CXMT официально начнет массовое производство своей первой памяти HBM3E в течение двух месяцев, то есть к концу 2026 года. Ранее, в августе, компания перешла к стадии риск-продакшена. Несмотря на отсутствие детальных бенчмарков от самого производителя, спецификации JEDEC для HBM3E диктуют следующие параметры, к которым стремится CXMT:
| Параметр | Значение / Диапазон |
|---|---|
| Ширина шины | 1,024 бит |
| Скорость передачи (на пин) | 9.2 – 12.4 Гбит/с (стандарт: 9.6 Гбит/с) |
| Пропускная способность | ~1.2 ТБ/с |
| Объем (8-high stack) | 24 ГБ |
| Объем (12-high stack) | 36 ГБ |
Главная проблема: технология TSV и низкий выход годных
Основное препятствие для CXMT — незрелость технологии сквозных кремниевых переходов (TSV). Отчет указывает на серьезные различия в подходах к производству между китайским гигантом и лидерами рынка:
- Конкуренция: Samsung использует около 5,000 TSV на слой в HBM2, а SK hynix — более 8,000 TSV на слой в HBM3.
- Решение CXMT: Компания пытается реализовать HBM3E, используя всего 3,000 TSV на слой и упаковывая 8 слоев в стандартную конфигурацию 8-high.
Такой компромисс приводит к катастрофически низкому выходу годных изделий. На этапе front-end manufacturing (основное производство) выход составляет около 30%, а back-end processing (после сборки) добавляет еще 70% потерь к этому базовому значению. Итоговый выход годных чипов оценивается всего в 20%.
Производительность: HBM3E или улучшенная HBM3?
Источники, близкие к Reuters, утверждают, что фактическая производительность чипов CXMT ближе к прошлому поколению HBM3 от SK hynix, а не к заявленному стандарту HBM3E. Для тестирования клиентов CXMT поставляет две версии:
- Стандартный дизайн.
- Обновленную версию с изменениями, направленными на улучшение выхода годных (yield), который все еще остается на уровне 20%.
Низкий выход годных сейчас допустим, так как внутренние китайские производители чипов находятся в острой нужде в памяти HBM, что вынуждает их принимать риски ради обеспечения технологического суверенитета. В ближайшее время переход на более емкие 12-high стеки маловероятен из-за необходимости решения инженерных проблем.
Источник: TechPowerUp ↗