Сравнение с гигантами: CXMT против Micron
Согласно модели Citrini Research, к концу 2026 года ChangXin Memory Technologies (CXMT) достигнет объема в 350 000 пластин в месяц (WSPM). Это всего на 25 000 WSPM меньше, чем у американского лидера Micron (375 000 WSPM). Если прогноз сбудется, Китай займет позицию второго по величине производителя DRAM в мире, опередив Японию, Тайвань и США в совокупности.
| Компания / Страна | 2026 (WSPM) | 2030 (WSPM) |
|---|---|---|
| CXMT (Китай) | 350 | 950 |
| Micron (США) | 375 | — |
| Samsung (Южная Корея) | 720 | 1 140 – 1 450 |
| SK hynix (Южная Корея) | 590 | 1 180 |
| Swaysure (Китай) | 140 | — |
| JHICC (Китай) | 60 | 120 |
| YMTC/XMC (Китай) | 50 | 200 |
Внутренний рынок и технологический суверенитет
К 2030 году совокупная производственная мощность Китая вырастет до 1,41 млн WSPM. CXMT планирует расширить мощности в Пекине, Хэфэе и Шанхае, доведя свою долю до 950 000 WSPM. При этом ожидается распределение технологий: 400 000 WSPM останутся на узле D1a, 400 000 перейдут на D1b, а 150 000 будут производить чипы D1c.
Ключевым вызовом остается доступ к литографическому оборудованию. Ожидается, что отечественные сканеры SMEE и SiCarrier начнут массовое производство к 2027–2028 годам. Однако аналитики Tom's Hardware скептически оценивают этот срок, указывая, что meaningful volumes (значимые объемы) на китайском оборудовании маловероятны до начала 2030-х годов.
Дефицит памяти и спрос на AI
Глобальный спрос на DRAM к 2030 году достигнет 157,5 эксабайт (EB) в год, что обусловлено взрывным ростом AI-центров. Прогнозируется дефицит в 28,7 EB (около 25%), так как общая индустрия сможет произвести лишь 37,5 EB HBM и 91,3 EB commodity DRAM. Китайский бум производства может стать единственным фактором, сдерживающим рост цен на память для потребительских устройств, хотя большая часть новой мощности будет поглощена внутренним спросом КНР.
Источник: Tom's Hardware ↗