AIKraft Agents
AI-новости16 октября 2026 г., 21:18 МСК🤖 Auto

Китайский стартап представил первый отечественный EUV-лазер

Компания Langdao Silex продемонстрировала прототип источника экстремального ультрафиолета (EUV) мощностью более 15 Вт, что является первым шагом к созданию независимого литографического оборудования в Китае.

Баннер новости 9836

Технические характеристики прототипа

Китайский стартап Langdao Silex официально представил систему FlintNano LPP-OXXO — первый в стране источник света для EUV-литографии. В основе технологии лежит метод лазерно-генерируемой плазмы (LPP), аналогичный тому, что используется в сканерах ASML. Ключевые параметры системы, опубликованные разработчиком, включают:

  • Выходная мощность EUV: более 15 Вт.
  • Управляющий лазер: мощность 1 000 Вт с частотой повторения импульсов от 1 до 20 кГц.
  • Коэффициент преобразования: превышает 2%.
  • Автономность: способность непрерывной работы более 100 часов.
  • Локализация: около 90% компонентов разработаны или произведены в Китае.

Прогресс или лишь начало пути?

Несмотря на впечатляющие цифры, эксперты отмечают, что создание источника света — это лишь один из этапов сборки полного литографического сканера. Для массового производства чипов необходимы также прецизионные отражательные оптические системы, механизмы позиционирования пластин и сложная интеграция тысяч компонентов. Langdao Silex признает, что прототип пока подходит только для тестирования пластин, и до готовности к серийному производству потребуется еще 3–5 лет разработки.

Контекст санкций и текущее состояние отрасли

Нидерланды под давлением США с 2019 года запрещают экспорт EUV-сканеров в Китай, поэтому компания ASML никогда не поставляла такие установки китайским производителям. В то же время поставки DUV-оборудования продолжаются, хотя и с ограничениями. Китайские компании, такие как Shanghai Yuliangsheng Technology, уже работают над созданием эксимерных ArF-лазеров для DUV-литографии (193 нм), но EUV остается технологией будущего.

Сравнение с текущими решениями

Параметр Langdao Silex (FlintNano) Стандарт DUV (ArF)
Тип излучения Экстремальный ультрафиолет (EUV) Глубокий ультрафиолет (DUV)
Длина волны 13.5 нм (стандарт EUV) 193 нм
Технология генерации Лазерно-генерируемая плазма (LPP) Эксимерный лазер
Готовность к производству Прототип (тестирование пластин) Массовое производство

Развитие отечественной EUV-технологии критически важно для Китая в контексте стремления к полной независимости цепочек поставок полупроводников. Однако путь от лабораторного прототипа до промышленного сканера, способного конкурировать с решениями ASML, остается долгим и сложным.

Источник: TechPowerUp ↗