Прорыв в литографии: 11.95 нм и квадруполитогравия
Китайская компания CXMT официально объявила о начале массового производства чипов памяти на базе своей 5-й генерации технологического процесса, обозначенной как G5. Ключевым достижением стало снижение активного полушага (half-pitch) до 11.95 нм. Для достижения этого показателя производитель применил технологию квадруполитогравии (quadruple-patterning lithography), что позволяет уплотнить элементы на кристалле без перехода к экстремальному ультрафиолету (EUV), который пока остается недоступным для многих производителей за пределами США и их союзников.
Важно отметить, что цифра 11.95 нм относится к активному полушагу, а не к традиционному обозначению узла (node), поэтому прямое сравнение с «12-нанометровыми» процессами других компаний требует оговорок. Тем не менее, это значение попадает в диапазон продвинутых 10-нанометровых технологий DRAM.
Характеристики и физические параметры
Помимо литографии, CXMT модернизировала процесс создания ячеек памяти. Компания внедрила оптимизированный процесс высоко-κ металл-оксид-полупроводник (HKMG) и новые материалы для конденсаторов. Это позволило достичь соотношения глубины к ширине (aspect ratio) около 45:1 для storage capacitors. Хотя отраслевые лидеры, такие как SK hynix, указывают, что для узлов ниже 10 нм потребуется соотношение свыше 100:1, текущий показатель позволяет существенно уменьшить площадь ячейки.
| Параметр | Значение / Описание | Значимость |
|---|---|---|
| Техпроцесс (G5) | 11.95 нм (активный полушаг) | Соответствует уровню 10-12 нм, достигнуто через квадруполитогравию |
| Высота ячейки | 6,762 нм | Результат применения DRAM-оптимизированного HKMG |
| Aspect Ratio конденсатора | ~45:1 | Позволяет уменьшить площадь ячейки, но усложняет травление и осаждение |
| Рост плотности | +50% (gross dies per wafer) | Количество годных кристаллов на пластине выросло на половину по сравнению с G4 |
Первый продукт: 24Gb LPDDR5X в флагманах
Первыми устройствами, выпущенными по технологии G5, стали чипы 24Gb LPDDR5X. Эти модули уже поступили в массовое производство и, согласно китайским отчетам, начали устанавливаться в флагманские смартфоны местного производства. Чипы доступны в двух форматах упаковки, адаптированных под различные архитектуры мобильных устройств.
Главное преимущество новой версии — увеличение емкости на 50% по сравнению с предыдущими аналогичными продуктами CXMT. Это критически важно для современных мобильных устройств, где требуется высокая пропускная способность памяти при сохранении энергоэффективности.
Нюансы и перспективы
Несмотря на заявленные успехи, эксперты Tom's Hardware обращают внимание на несколько важных ограничений. Во-первых, CXMT не раскрыла данные о выходе годных изделий (yield rate). Без этой цифры невозможно оценить реальную производительность фабрик и себестоимость производства бита данных. Во-вторых, технологическое равенство с лидерами рынка (Micron, Samsung, SK hynix) не означает паритета по всем параметрам: важны также характеристики транзисторов, энергопотребление и стабильность работы при высоких плотностях.
Тем не менее, запуск G5 демонстрирует, что CXMT успешно преодолевает технологические барьеры, связанные с отсутствием EUV-литографии, и укрепляет свои позиции на внутреннем рынке Китая, предлагая конкурентоспособные решения для мобильного сегмента.
Источник: Tom's Hardware ↗