Эволюция EMIB: от моста к инфраструктуре
Технология Embedded Multi-die Interconnect Bridge (EMIB), впервые внедренная в 2017 году в процессорах Kaby Lake-G, прошла путь от простой альтернативы кремниевым интерпозерам до ключевого элемента для создания массивных ИИ-ускорителей. Главная цель Intel — создание систем в упаковке (SiP) размером до 12 ретикл, использующих десятки кремниевых мостов и более 24 стеков HBM.
Ключевые изменения касаются плотности соединений и энергоэффективности. Шаг первого слоя интерконнекта (FLI) сокращается с 55 мкм до 25 мкм, что позволяет размещать больше контактов по краю чиплета. Кроме того, в мостах EMIB-M и EMIB-T внедряются конденсаторы и вертикальные сквозные отверстия (TSV) для улучшения доставки питания и снижения шума в высоконагруженных системах.
Дорожная карта EMIB: цифры и сроки
Ниже приведена эволюция параметров технологии EMIB согласно планам Intel. Обратите внимание на переход к стеклянным подложкам в версии EMIB-T glass и кратный рост площади покрытия.
| Параметр | EMIB 1st Gen | EMIB 2nd Gen | EMIB-M / EMIB-T | EMIB-T evo | EMIB-T glass |
|---|---|---|---|---|---|
| Шаг контакта (Bump Pitch) | 55 мкм | 45 мкм | 36–45 мкм | 25 мкм | <25 мкм |
| Плотность контактов (мм²) | 330 | 494 | до 772 | 1600 | 1600 |
| Энергоэффективность (C2C) | 0.5 пДж/бит | 0.3–0.5 пДж/бит | 0.25 пДж/бит | 0.25 пДж/бит | — |
| Размер SiP (ретикл) | 2x | 4x | 8x | 12x | — |
| Материал подложки | Органика | Органика | Органика | Органика | Стекло |
| Год запуска | 2017–2023 | 2023 | 2024–2026 | 2028 | 2030+ |
Стеклянные подложки и масштабирование
Одним из самых значимых изменений станет переход на стеклянные подложки (EMIB-T glass). Стекло обеспечивает лучшую стабильность и меньшую деформацию (warpage) по сравнению с органическими материалами, что критически важно для пакетов размером 240×240 мм. По словам генерального директора Intel Липа Бу Тана, интерес клиентов к EMIB-T высок, а технологический бэклог растет. Массовое производство EMIB-T запланировано на 2027 год.
Foveros: зеркало CoWoS от TSMC
Параллельно развивается портфель Foveros, который теперь включает варианты Foveros-S, Foveros-R и Foveros-B. Эти технологии напрямую конкурируют с решениями TSMC CoWoS-S, CoWoS-R и CoWoS-L, предлагая альтернативы для 2.5D-упаковки. Интеграция EMIB и Foveros позволяет Intel гибко подходить к проектированию систем, комбинируя локальные кремниевые мосты для логических чипов и 3D-стекирование для памяти и специализированных блоков.
Источник: Tom's Hardware ↗