Возвращение в лизинг NVIDIA
Корпорация Samsung официально прошла сертификацию своей новой памяти HBM4E для использования в графических процессорах следующего поколения NVIDIA — серии Rubin Ultra. Это знаковое событие, так как в предыдущем цикле разработки (архитектура Blackwell) Samsung не смогла удовлетворить строгие требования NVIDIA к памяти HBM3E. В результате NVIDIA отдала контракт на HBM3E исключительно SK hynix, оставив Samsung только поставку GDDR7 для некоторых моделей.
Успех HBM4E означает, что Samsung снова становится критически важным партнером в цепочке поставок ИИ-чипов мирового уровня, что напрямую влияет на доступность и стоимость мощностей для облачных провайдеров.
Технические характеристики и производительность
Новое поколение памяти HBM4E предлагает значительный скачок в пропускной способности по сравнению с предшественниками. Samsung демонстрирует образцы, работающие на скорости 14 Гбит/с на контакт, с архитектурой стека в 2048 контактов. Это позволяет достичь максимальной пропускной способности в 3,6 ТБ/с на один стек. При переходе на скорость 16 Гбит/с этот показатель вырастет до 4 ТБ/с.
| Параметр | Значение / Характеристика |
|---|---|
| Текущая скорость шины | 14 Гбит/с (до 16 Гбит/с в будущем) |
| Количество контактов на стек | 2048 pins |
| Макс. пропускная способность (14 Гбит/с) | 3,6 ТБ/с на стек |
| Макс. пропускная способность (16 Гбит/с) | 4,0 ТБ/с на стек |
| Текущая конфигурация плотности | 12 слоев, 48 ГБ на стек |
| Планируемые конфигурации | 8 слоев (32 ГБ), 16 слоев (64 ГБ) |
Масштабирование производства
Интерес к технологии NVHBM (NVIDIA High Bandwidth Memory) настолько высок, что Samsung перераспределил производственные мощности. Компания выделила 50% производственных мощностей своего 4-нм техпроцесса SF4 исключительно для производства базовых кристаллов (base dies) для HBM4E. Это свидетельствует о глубокой кастомизации решений под нужды NVIDIA.
Объемы производства растут экспоненциально:
- 2026 год: Ожидаемый объем серийного производства составляет около 20 000 пластин в месяц. Образцы для тестирования начали рассылаться еще в мае 2026 года.
- 2027 год: Samsung планирует удвоить мощности, доведя объем до 50 000 пластин в месяц.
Почему это важно для рынка ИИ
Один ИИ-ускоритель или GPU содержит около десятка стеков памяти. Суммарная пропускная способность такой системы будет колоссальной, что критически важно для обучения больших языковых моделей (LLM) и инференса в реальном времени. Успех Samsung HBM4E снимает «бутылочное горлышко» в поставках памяти для архитектуры Rubin Ultra, позволяя NVIDIA масштабировать выпуск своих флагманских ускорителей без задержек, связанных с дефицитом высокопроизводительной памяти.
Источник: TechPowerUp ↗