Возвращение в элиту полупроводников
После того как в 2018 году GlobalFoundries приостановила разработку узла 7 нм, уступив лидерство TSMC и Samsung, компания переориентировалась на специализированные решения. Теперь, 12 октября 2026 года, GlobalFoundries объявила о возвращении в гонку передовых узлов с технологией FDX Fusion. В отличие от традиционного CMOS, эта архитектура использует полностью обедненный кремний на изоляторе (FD-SOI), создавая изолирующий слой под каналом транзистора. Это позволяет достичь характеристик, сопоставимых с 7-нм узлом, по размеру и плотности.
Технические характеристики и преимущества
Ключевое преимущество FDX Fusion — не просто уменьшение размера, а интеграция новых функциональных возможностей. Технология обеспечивает удвоенную плотность транзисторов по сравнению с первым поколением 22FDX. Особый акцент сделан на энергоэффективность и возможности вычислений в памяти (in-memory computing), что критически важно для задач физического ИИ (Physical AI).
| Параметр | Значение / Характеристика |
|---|---|
| Технологический узел | 7 нм-класс (на базе FD-SOI) |
| Плотность транзисторов | В 2 раза выше, чем у 22FDX |
| Ключевые особенности | Встроенная энергонезависимая память (eMRAM), ultra-low-power вычисления |
| Целевые рынки | Автомобильная промышленность, ASIC, Physical AI, сенсоры |
План производства и сроки
Массовое производство FDX Fusion начнется в 2028 году на передовом заводе в Дрездене, Германия. Это событие подчеркивает стратегию обеспечения технологического суверенитета в Европе. Для разработчиков график выглядит следующим образом:
- 2027 год: Начало отправки демонстрационных образцов технологий (tech demos).
- Середина 2027 года: Выпуск PDK (Process Design Kits) для проектирования.
Почему это важно
Выход GlobalFoundries с FDX Fusion создает альтернативу доминирующим игрокам, специализирующимся на масштабировании транзисторов. Для индустрии это означает появление нового игрока, способного предлагать решения для задач, требующих высокой энергоэффективности и интеграции памяти, без необходимости перехода к экстремально малым нормам, таким как 2 нм, которые становятся экономически нецелесообразными для многих применений.
Источник: TechPowerUp ↗